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电压非线性电阻陶瓷组合物以及电子元件制作方法
专利
专利摘要: 本发明提供的电压非线性电阻陶瓷组合物,相对于100摩尔的作为主成分的ZnO,含有作为辅助成分的,换算成各元素的,Co的氧化物超过0.05原子%,而不足30原子%,Sr的氧化物超过0.05原子%而不足20原子%,除Sc和Pm以外的稀土元素的氧化物超过0.01原子%而不足20原子%,Si的氧化物超过0.01原子%而不足10原子%,而不含Al,Ga和In。或电压非线性电阻陶瓷组合物,相对于100摩尔的作为主成分的ZnO,含有作为辅助成分的,换算成各元素的,Co的氧化物超过0.05原子%而不足30原子%,Sr的氧化物超过0.05原子%而不足20原子%,除Sc和Pm以外的稀土类元素的氧化物超过0.01原子%而不足20原子%,Si的氧化物超过0.01原子%而不足10原子%,还含有锆酸钙,换算成CaZrO3,锆酸钙超过0.01原子%而不足10原子%。如果采用本发明,则能够提供CV积低,能降低各种特性的偏差,而且可以抑制晶粒的生长的电压非线性电阻陶瓷组合物。 -
健身器用非线性双向阻尼器制作方法
专利
专利摘要: 本实用新型涉及一种健身器用非线性双向阻尼器,它包括左手把、右手把、通过内连杆和固定螺母固定在左手把上的摩擦盘和通过外连杆和固定螺母固定在右手把上的内齿轮,所述左手把、右手把、摩擦盘和内齿轮通过销轴铰接,所述销轴上、并在内齿轮和右手把之间铰接有自由回转齿轮,所述自由回转齿轮上固定有滑道,所述滑道上设有滑块,滑块上铰接有阻尼装置,所述左手把上固定有与所述内齿轮和自由回转齿轮相互啮合的小齿轮,所述摩擦盘上、并对应阻尼装置设有摩擦片支架,所述摩擦片支架上、并在摩擦盘的两侧挂有前摩擦片和后摩擦片,所述摩擦片上夹有夹具。本实用新型具有安全可靠、健身效果良好、不会给使用者带来意外伤害的优点。 -
基于非线性能量运算的脑电峰电位检测电路及其构造方法
专利
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在高频率下用于超声造影剂非线性成像的方法
专利
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一种可实现完全走离补偿的非线性光学晶体的切割方法
专利
专利摘要: 本发明涉及一种可实现完全走离补偿的非线性光学晶体的切割方法,属于晶体材料切割加工【技术领域】。本发明的步骤如下:首先按相位匹配方向切割一块尺寸为长(L)×宽(W)×高(H)的晶体,长(L)×高(H)为通光面,宽(W)为通光长度,其对应通光方向,即相位匹配方向;然后将晶体在长(L)方向上切割成长度相等的2N段;使用时,第奇数块晶体方向不动,第偶数块晶体以长(L)或宽(W)为轴旋转180度,并将晶体依次放置在光路中,进行非线性频率变换并实现走离补偿。本发明提供的切割方法简单,成本低,且可以保持2N块非线性光学晶体在通光长度上完全一致,以及保持光轴与晶体端面的角度完全一致,从而可以实现完全走离补偿。
胡娟
金牌知产顾问
215463210
全国服务热线:
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